Crosslight APSYS 2021

APSYS，半导体器件的高级物理模型，基于化合物半导体器件的电学、光学和热学特性的 2D/3D 有限元分析，以硅为特例。 重点放在能带结构工程和量子力学效应上。 包含各种光学模块也使该模拟包对涉及光敏或发光设备的应用具有吸引力。

应用程序

• 二极管、晶体管和各种其他类型的硅器件
• LED 和 OLED
• 太阳能电池
• 光电探测器 (PD)
• 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
• 异质结双极晶体管 (HBT)
• 谐振隧道二极管 (RTD)
• 量子阱红外光电探测器 (QWIP)
• 具有强量子力学效应的小型 MOS 器件 (Quantum-MOS)
• 功率器件

特点

• 从之前保存的状态重新开始
• 行业领先的数值收敛
• 广泛的材料宏库
• 热载流子的流体动力学模型
• 量子隧穿与 运输
• 热电子发射模型
• 传热方程
• 深层陷阱和陷阱动态
• 接口状态
• 普尔-弗伦克尔模型
• 自洽的 QW 计算
• 温度相关模型
• 碰撞电离

版本改进：
2020年7月
金属/半自亲和（欧姆接触）模型修正为所有金属/半界面点金属亲和力根据半导体掺杂。以前，单个关联用于全金属。如果同一金属与两者接触，这是有用的n和p型半导体（例如在IGBT中）。

2020年9月
减少了接触处内置电势的牛顿解算器的最大步长。这将增加稳定性并防止迭代之间的解振荡；由于牛顿法中的额外步骤，收敛可能较慢。

2020年10月
增加Baliga碰撞模型的默认doping_range

2020年9月
将默认稀疏矩阵解算器切换回Crosslight MF解算器。
Parallel_linear_solver命令可用于覆盖默认选项。

2020年10月
从Baliga碰撞模型中去除受主掺杂

2021年1月
让上应力输入直接使用原始xyz坐标。
在以前的版本中，导入被转换为量子阱坐标。
这意味着任何旧的导入都应该切换回原始的电气网格。

2021年1月
编译器选项更改为禁用fp优化，以获得更好的效果汇聚

2021年6月
从光学热中减去生成热。的Bug修复程序当涉及复合热时由光学吸收产生的热。

2021年7月
VCSEL中定义DBR结构的设计缺陷已得到纠正如果宏，背景损失自动添加到DBR区域吸收小于初始波的背景损耗。影响cmd：垂直层材料

2021年7月
Baliga模型回收了两种类型的掺杂剂

2021年8月
对于y方向腔体（VCSEL）在纵向方向上得到改善，因此结果可能稍微与以前的版本不同（效率更高）。

官方网站: https://crosslight.com/products/apsys/
软件语言: English
文件大小: 1.02 GB
运行环境: Windows 7/8.x 64Bit

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